今年年初，Intel正式發(fā)布了Sandy Bridge架構，從筆記本、臺式機到服務(wù)器都一應俱全，幾個(gè)月內SnB大潮就已經(jīng)席卷了整個(gè)市場(chǎng)。如今在桌面平臺方面，已經(jīng)更新到第二代Z68等芯片組了，推陳出新速度非常之快。

然而今年的處理器市場(chǎng)競爭非常激烈，三季度AMD的推土機平臺就要上市，之前的Llano架構APU就很受關(guān)注，其整合的顯示核心性能超越了Intel同類(lèi)產(chǎn)品，功耗方面也得到了很好的控制。因此推土機平臺更加值得期待。

不過(guò)作為業(yè)界老大的Intel自然也有自己的對策，接連拋出了Sandy Bridge-E和Ivy Bridge，用以對抗AMD推土機。

Sandy Bridge-E可以看做是SnB的增強版本，擁有更大容量的三級緩存，支持四通道DDR3內存和更高頻率和雙路全速PCI-E 2.0 x16顯卡并聯(lián)，超頻不錯，存儲方面也非常靈活性，支持多達十四個(gè)SATA接口，其中十個(gè)支持SATA 6Gbps、八個(gè)支持SAS。

而Ivy Bridge則是Intel的下一代平臺，它將3D晶體管引入了CPU之中，也是首款采用3D晶體管的產(chǎn)品。接下來(lái)就讓我們來(lái)具體了解一下Ivy Bridge吧。

Ivy Bridge平臺性能強大

Ivy Bridge處理器采用22nm新工藝制造，在內核架構上與32nm Sandy Bridge沒(méi)有太大變化，只是一些細節上的增強和完善，比如支持PCI-E 3.0標準規范，內存支持1.5V DDR3-1600。

Ivy Bridge處理器仍將由處理核心、三級緩存、圖形核心、內存控制器、系統助手、顯示控制器、顯示接口、PCI-E I／O控制器、DMI總線(xiàn)控制器等眾多模塊整合而成。

Ivy Bridge處理器擁有8MB三級緩存、超線(xiàn)程技術(shù)、Turbo Boost 2.0動(dòng)態(tài)加速技術(shù)、LLC CPU／GPU緩存共享、改進(jìn)的AVX／AES-NI指令集、電源感應中斷路由節能與性能提升技術(shù)、DDR電源柵極內存待機節能技術(shù)、PCI-E 3.0標準規范、第七代圖形核心（6／16個(gè)執行單元并支持EU電源柵極待機節能）、三屏獨立輸出、eDP（嵌入式DisplayPort）輸出接口、PECI 3.0標準規范。

Ivy Bridge整合的圖形核心是Intel的第七代產(chǎn)品，EU執行單元數量最多增至16個(gè)，3D方面支持DirectX 11、OpenGL 3.1、OpenCL 1.1。

多媒體方面Intel表示，Ivy Bridge的Quick Sync技術(shù)可組建的端到端（End to End）的高畫(huà)質(zhì)會(huì )議方案。也就是說(shuō)可以實(shí)現高畫(huà)質(zhì)的實(shí)時(shí)編碼，這一點(diǎn)Intel在IDF上就曾經(jīng)做過(guò)演示，非常值得期待。

22nm的3D晶體管首次亮相

從規格方面來(lái)看，Ivy Bridge與當前的Sandy Bridge區別不是很大，基本就是新技術(shù)的加入與增強，而22nm的3D晶體管則是首次應用到處理器當中。

Ivy Bridge是首款使用3D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。3D晶體管和2D平面晶體管有本質(zhì)性的區別，它不只可以用在電腦、手機和消費電子產(chǎn)品上，還可以用在汽車(chē)、宇宙飛船、家用電器、醫療設備和其它多種產(chǎn)品中。

3D Tri-Gate晶體管是什么原理呢？簡(jiǎn)單的說(shuō)就是立體化。傳統晶體管是2D布局，類(lèi)似于平房住戶(hù)，居住的人數非常有限，而工藝的進(jìn)步則是在有限的空間內壓縮面積而已，這樣的形式已經(jīng)出現了瓶頸。3D晶體管就相當于樓房，居住面積立體化，大大節省了空間，是當前晶體管數量激增后一個(gè)更好的解決方案。

3-D Tri-Gate使用一個(gè)非常薄的三維硅鰭片取代了傳統二維晶體管上的平面柵極，形象地說(shuō)就是從硅基底上站了起來(lái)。硅鰭片的三個(gè)面都安排了一個(gè)柵極，其中兩側各一個(gè)、頂面一個(gè)，用于輔助電流控制，而2-D二維晶體管只在頂部有一個(gè)。由于這些硅鰭片都是垂直的，晶體管可以更加緊密地靠在一起，從而大大提高晶體管密度。

通過(guò)使用3D晶體管，芯片可以在低電壓和低泄露下運行，從而使性能和能耗取得大幅改進(jìn)。在低電壓條件下，22納米的3-D Tri-Gate晶體管比英特爾32納米平面晶體管性能提高37％。這意味著(zhù)它能用在許多小的手持設備中。另外，在相同的性能條件下，新的晶體管耗電不及 2D平板晶體管、32納米芯片的一半。

據Intel方面透露，22納米的芯片性能比現在的32納米芯片更高。為了擴大制程技術(shù)的優(yōu)勢，趕上移動(dòng)競賽，上個(gè)月英特爾將2011年資本開(kāi)支提高到102億美元，原定數額為90億美元，目的是落實(shí)12納米制程的開(kāi)發(fā)。

目前，Intel的Ivy Bridge還未進(jìn)行大規模量產(chǎn)，但Intel也表示Ivy Bridge可能會(huì )提前發(fā)布，目的在于對抗即將上市的推土機。從產(chǎn)品技術(shù)方面來(lái)看，Ivy Bridge并沒(méi)有過(guò)多出彩的地方，僅僅是Sandy Bridge的升級版本；而從工藝角度講，Ivy Bridge所基于22nm的3-D Tri-Gate晶體管則是首次應用到實(shí)際產(chǎn)品中，也是晶體管發(fā)展的一場(chǎng)革命。不過(guò)從當前的一些資料來(lái)看，Ivy Bridge工程樣板的測試中功耗表現并不突出，看來(lái)還需要進(jìn)一步優(yōu)化。

而至截稿之前的最新消息顯示，Intel將于2012年3月份到4月份期間正式推出下一代Socket LGA1155插槽22納米Ivy Bridge處理器，并且在最新的Roadmap中已有顯示。推土機性能到底如何，Ivy Bridge能否提前到來(lái)，讓我們拭目以待吧！