華爾街日報》近日公布2011年“科技創(chuàng )新獎”，英特爾的3-D三柵極晶體管設計獲得半導體類(lèi)別創(chuàng )新大獎。英特爾的3-D三柵極晶體管結構代表著(zhù)從2-D平面晶體管結構的根本性轉變。這項革命性成果，其關(guān)鍵在于英特爾能夠把全新的3-D三柵極晶體管設計投入批量生產(chǎn)，開(kāi)啟了摩爾定律的又一個(gè)新時(shí)代，并且為各種類(lèi)型的設備的下一代創(chuàng )新打開(kāi)了大門(mén)。

《華爾街日報》在2011年科技創(chuàng )新獎的報告中，如此評價(jià)這項技術(shù)：“英特爾憑借3-D三柵極晶體管設計在半導體類(lèi)別中拔得頭籌。3-D三柵極晶體管使得制造更小的半導體成為可能，在提高性能的同時(shí)降低了能耗。這家位于加州圣克拉拉的芯片巨頭預期將在年末投產(chǎn)采用這項新技術(shù)的處理器，首次將3-D三柵極晶體管設計投入大規模制造。這項技術(shù)將用于英特爾下一代產(chǎn)品Ivy Bridge中，而采用這款芯片的設備預計將在明年上市?！?

3-D三柵極晶體管實(shí)現了晶體管的革命性突破。傳統“扁平的”2-D平面柵極被超級纖薄的、從硅基體垂直豎起的3-D硅鰭狀物所代替。電流控制是通過(guò)在鰭狀物三面的每一面安裝一個(gè)柵極而實(shí)現的（兩側和頂部各有一個(gè)柵極），而不是像2-D平面晶體管那樣，只在頂部有一個(gè)柵極。更多控制可以使晶體管在“開(kāi)”的狀態(tài)下讓盡可能多的電流通過(guò)（高性能），而在“關(guān)”的狀態(tài)下盡可能讓電流接近零（低能耗），同時(shí)還能在兩種狀態(tài)之間迅速切換（這也是為了達到高性能）。與之前的32納米平面晶體管相比，22納米3-D三柵極晶體管在低電壓下將性能提高了37％，而全新的晶體管只需消耗不到一半的電量，就能達到與32納米芯片中2-D平面晶體管一樣的性能。

3-D三柵極晶體管將在英特爾下一代22納米制程技術(shù)中采用。